王军喜，中科院半导体所研究员，博士生导师，中国科学院半导体照明研发中心副主任。于2003 年获得中国科学院半导体研究所工学博士学位，主要研究方向为半导体照明氮化镓外延芯片材料生长研究及新型LED器件应用研究。在国内外高质量学术期刊上发表研究论文百余篇。

    作为项目负责人，在国内第一次制备成功了发光波长300nm以下的深紫外LED器件。发光功率在20mA电流下超过3mW，为国内最好水平，填补了国内在该领域的空白。专注于大功率LED器件的材料生长研究和器件制备，在材料结构设计和P型掺杂方面取得了突破性进展，研制的GaN基LED在350mA电流下发光效率超过了150lm/W，为目前国内研发的最好水平。