张国义，理学博士，现任北京大学物理学院教授，半导体光电子学专业博士生导师，北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任，北京大学东莞光电研究院常务副院长。兼任中国物理学会发光分科学会理事；中国电子学会信息光电子分会理事，中国物理学会半导体专业委员会委员，中国光学协会LED行业协会咨询委员会委员；国家半导体照明研发与产业联盟专家组成员，咨询专家；《半导体学报》，《发光学报》，《液晶和显示》编委。

    张国义教授长期从事半导体物理与器件物理，半导体光电子学，MOCVD生长技术的研究。自1992年至今，从事III-V氮化物宽禁带半导体材料、器件和物理性能的研究。领导的课题组承担并完成了与上述研究领域相关的国家“973”国家重大基础研究课题和863国家高技术计划重大项目，发表相关论文300多篇；作为会议主席，在98年、2001年、2009年、2010年4次在中国主持召开了中美，中日III-V氮化物半导体专题研讨会，亚太地区宽禁带半导体学术会议（APWS－2009），和半导体发光国际会议（ISSLED－2010）；多次组织海峡两岸宽禁带半导体研讨会，全国氮化物半导体讲习班。