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联盟多项成果参展国家“十二五”科技创新成就展

发表于:2016-06-11 阅读:2362

国家“十二五”科技创新成就展于6月1日-7日在北京展览馆展出,本次展览以“创新驱动发展,科技引领未来”为主题,重点展示“十二五”以来的重大科技成果和重要工作进展。成就展向全国人民展示了五年来科技创新改革取得的新进展和新成果,展览内容共分“总况、重大专项、基础研究、战略高技术、农业科技、民生科技、区域创新、大众创业万众创新、创新人才、融入全球创新网络”十个展区。
 
科技部万钢部长在国家“十二五”科技创新成就展现场听取
南昌大学江风益副校长介绍Si基LED成果
“十二五”期间,科技部主动超前布局,从全球技术和产业战略的高度,以应用促发展,以联盟为抓手,采用产学研紧密合
作的方式,推动半导体照明技术与产业的发展。
“十二五”期间半导体照明产业规模年均增长30%,2015年产业规模达到4245亿元,市场渗透率30%,年节电1000亿度,形成了良好的经济社会效应。联盟组织了半导体照明版块的展示,在此次成就展上重点展示了“十城万盏”半导体照明试点示范项目、人民大会堂、中南海紫光阁等一批高水平示范。据了解,“十城万盏”的实施有效推动了了半导体照明技术集成和创新,
促进了市场机制和商业模式的形成。通过“十城万盏”带动,37
个试点城市已应用LED灯具2400万盏,年节电70亿度。
联盟成员单位中国科学院半导体研究所的国产大型MOCVD重大装备研发也参加了此次成就展。MOCVD是我国半导体照明产业的核心关键设备,同时也是制备第三代半导体材料的最主要装备。“十二五”期间在科技部“863”项目支持下,成功研制出产能达到一次外延48片2英寸外延片的大型MOCVD设备,在关键技术上创新突破,形成自主知识产权,并进行了设备材料外延工艺验证,经鉴定设备和外延材料性能达到同类国际MOCVD装备水平。南昌大学、晶能光电的硅衬底LED材料芯片与装备开创了一条新的LED照明技术路线,在国际上率先研制成功并实现了高光效硅衬底蓝光LED材料与芯片产业化,形成了硅衬底LED上中下游产业链,产品替代传统光源节电40%-90%,获2015年度国家技术发明一等奖。研发成功具有国际一流水平的绿光LED材料与芯片与具有国际先进水平的LED材料生长专用装备-MOCVD系统。
CSA作为第三方管理机构,从2003年启动 “半导体照明工程”以来,充分发挥联盟产学研、上下游的协同创新作用和整合国际资源的能力,通过联盟组织进行的调研、战略研讨等各类活动,准确把握技术、市场、产业发展趋势,支撑了国家科技项目科学决策。有效提升了我国半导体照明产业的自主创新能力,促进了产业的快速发展。截止2015年,23家以LED为主营业务的企业成功上市,LED照明产品市场销售渗透率达到34%。我国半导体照明产业产值,从2003年90亿元,到2015年超过4245亿元,年均增长超过30%,实现年节电超过1000亿度。
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