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联盟成员联合研发“硅衬底LED技术” 荣获国家技术发明一等奖

发表于:2016-01-14 阅读:602

1月8日,国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行,由南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“硅衬底高光效氮化镓基蓝色发光二极管项目”荣获国家技术发明一等奖。项目主要完成人包括晶能光电联合创始人、南昌大学副校长江风益教授,晶能光电副总裁孙钱博士,晶能光电联合创始人、CEO及晶和照明创始人王敏博士等人。
在半导体照明领域存在三条LED技术路线,分别是蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底LED技术路线。其中,前两条技术路线分别是以日本和美国为主发展起来的,蓝宝石衬底技术的三位主要发明人获得了2014年度诺贝尔物理学奖;碳化硅衬底LED技术的发明人获得了2003年美国总统技术发明奖。
在本次大会上还颁布了国家科学技术进步奖,由西安电子科技大学郝跃教授牵头,联合中国科学院半导体研究所和联盟成员单位三安光电、青岛杰生、西安中为光电共同研发的“氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术”获得了国家科学技术进步奖二等奖。
本项技术解决了材料生长、掺杂和紫外光提取效率等重大难题,获得中国和美国发明专利授权 22 项,在信息产业、装备制造、国家安全、医疗健康等领域具有广泛应用前景。
近年来,在国家对我国科学技术事业的高度关注和支持下,半导体照明作为战略性新兴领域,在技术方面不断取得新突破。早在2011年,由CSA成员单位子公司与中科院物理所、清华大学等科研院所联合研发的《GaN基蓝绿光LED的关键技术及产业化》项目获得了2011年度中国国家科学技术进步奖二等奖,该项目在关键技术和产业化实施中取得了多项核心自主知识产权,使产品性能与国际先进技术实现同步。
另外,在2014年,由中国科学院半导体研究所完成的“低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术”荣获2014年度国家科学技术发明二等奖,获奖团队中有一直专研于半导体照明技术研发的李晋闽主任、王国宏、王军喜等人,历经十余年自主攻关,取得了一系列重大原创性技术发明,建立了完善的技术发明创新体系,解决了我国在大功率LED领域核心专利确实的问题,有力地支撑产业发展。
未来,在国家科技部、发改委、工信部等相关部门的指导下,CSA将继续在标准制定、共性技术研发、市场应用、渠道建设等方面组织开展产学研用的深入合作,提升产业技术
创新能力,打破国际壁垒,增强中国半导体照明在国际上的话语权。
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