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第十四届全国MOCVD学术会议在延吉召开

发表于:2016-08-30 阅读:778

为了深入交流MOCVD技术领域研发的新理论、新进展及其在材料应用领域的新动态、新成果,探讨现有问题和未来发展方向,促进产学研结合进程,加快我国MOCVD技术创新及推广应用,2016年8月17-18日,第十四届全国MOCVD学术会议在素有“歌舞之乡”美称的延吉市盛大召开。来自国内外的知名专家、学者、工程师和企业家500余人,从MOCVD生长技术、MOCVD设备研发、材料结构与物性、以及光电子、电力电子器件、微波射频器件研发等领域开展了广泛交流。
 
本届会议由中国有色金属学会主办,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟、发光学及应用国家重点实验室、应用光学国家重点实验室和半导体照明联
合创新国家重点实验室等单位承办,吉林省科技厅、延边州科
技局、延吉市科技局和长春理工大学也给予了大力协助和支持。
出席大会的领导及专家有科技部原副部长曹健林,中国科学院郑有炓院士、王立军院士、郝跃院士、刘明院士,延边州州长李景浩,工信部电子信息司原司长、国家集成电路产业投资基金有限公司总经理丁文武,国家基金委信息学部常务副主任秦玉文,科技部高新司材料处处长陈其针,吉林省科技厅高新处处长辛德久,延边州人民政府秘书长冯德远、延边州科技局副局长方金铁及延吉市科技局副局长韩今玉,国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲,中国有色金属学会常务副秘书长杨焕文,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所长贾平,基金委信息学部调研员、综合处处长何杰,基金委信息学部信息四处处长潘庆,中国科学院前沿科学与教育局综合处处长杨永峰,中科院半导体所副所长陈弘达。
  首先中科院长春光机所发光学及应用国家重点实验室副主任黎大兵代表大会组委会介绍了本届大会组织筹备情况。本届大会共收到来自五十余个单位的186篇学术报告,其中大会特邀报告11篇,分会报告32篇;大会实际报到参会人数500余人,分为开、闭幕式和四场主题分会。
中国科学院院士郑有炓院士在致辞中表示,MOCVD技术近二十几年来引领并支撑了化合物半导体的发展,也支撑了第三代半导体的发展。MOCVD技术的发展,已经成为制造、控制、第三代半导体材料器件及结构精准控制生长技术。今天的MOCVD技术是目前最先进的化合物材料生产技术之一,是精准、生长、调控专业的材料生长技术。只要有新的思想、新的构思、新的思维,就能利用MOCVD技术做出新材料、新器件,发展新产业。同时,国家第三代半导体材料的发展也是得益于MOCVD技术的支撑,MOCVD技术的发展也是随着产业的不断发展带动起来的,技术和产业的发展是相互支撑,共同促进。 MOCVD技术和第三代半导体材料的发展形势喜人,前途光明。未来如何实现跨越发展、跨界发展和创新应用将是新的方向。
延边州州长李景浩在致辞中表示,延边是中国唯一的朝鲜族自治州,区位优越,交通便利,地处中俄朝三国交界,已经成为东北亚重要的交通枢纽。同时也是“一带一路”向北开放重点城市,享有一系列国字号优惠政策。当前,吉林省上下正在实施创新驱动发展战略,促进产业转型升级,推动老工业基地全面振兴。延边州也正在全面积极推进科技创新和产业变革深度融合,着力改造传统产业,做强做大。培育新兴产业,全力加快绿色转型发展。希望通过此次学术会议的召开,能为延边州科技创新、产业发展等领域引入新理念,注入新活力,带来新变化。
国家基金委信息学部常务副主任秦玉文在致辞中表示,基
金委一直关注着半导体相关领域的科技发展,同时支持和鼓励半导体领域探索性基础研究,希望在基金委的推动下能促进第
三代半导体产业的快速发展。
中国有色金属学会常务副秘书长杨焕文表示, “全国MOCVD学术会议”的规模和影响越来越大,已成为全国学术界和产业界广泛关注的学术盛会。本次会议选择在具有朝鲜族民族特色的边疆开放城市延吉市举行,来自大陆和台港地区的与会学者、工程师和企业家们通过广泛交流,了解最新发展动态,促进相互合作。这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步和第三代半导体产业发展起到有力的推动作用。
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所长贾平在致辞中表示,作为MOCVD生长技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台, “全国MOCVD学术会议”已经成功举办了十三届,成为全国学术界和产业界广泛关注的学术盛会。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所作为摇篮,肩负着国家科技创新使命,面向世界科技前沿,面向世界经济主战场,面向国家重大需求,高度重视并大力支持MOCVD技术的发展,构建了先进的MOCVD技术平台,希望今后在国家政策的扶持下,与其他研究所,大学及产业界同仁,进一步加强交流与合作,在MOCVD技术领域半导体照明及第三代半导体材料领域实现跨越式发展。
科技部原副部长曹健林做了题为“我国第三代半导体发展战略思考”的报告。他指出,MOCVD绝大多数是为LED或第三代半导体生长服务。作为发展中国家,我国从50年代后期开始开展半导体科学技术的研发,迄今为止在硅基半导体产业的人才、技术、企业规模等方面还与西方发达国家存在巨大差距。在正视差距,努力缩小差距的同时,我们还要探索一下跨越式发展道路。
目前国际半导体产业和装备巨头还未形成专利、标准和规模的垄断,我国正处在启动这一产业的窗口期。中国精密加工制造技术和配套能力的迅速进步,特别是有01、02专项的基础,具备促使这一产业高速发展的能力和条件,而各地多年积累的产业优势和转型升级的需要,为构建新兴产业创新链提供了条件。具有中国特色的“政产学研用”协同创新模式,为新兴产业的发展提供了可借鉴的经验和成功的可能性。他认为,我国启动第三代半导体产业的时机已经成熟,第三代半导体技术突破将带来新一轮产业革命。在光电子、电力电子和微波射频等领域,抢占技术和产业制高点,重构全球半导体产业格局。
紧接着,国家集成电路产业投资基金有限公司总经理丁文
武分享了“关于MOCVD发展相关情况” 的主题报告;中国科学院郝跃院士分享了“GaN基半导体电子器件的研究进展与趋势”报告;山东大学校长张荣分享了“AlGaN日盲紫外探测技术研究”报告;耶鲁大学教授韩仲(HanJung)带来了“非极性和半极性GaN LED照明规模效益化的可能” 主题报告;第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山分享了“以需求带动第三代半导体产业健康发展”主题报告。

  此外,大会还在会期内开设了四个分会场,分别围绕氮化物LED与LD,紫外材料与器件,外延生长与物性,其他光电子材料与器件,电子材料与器件,MOCVD设备、衬底与物性等主题展开学术报告分享和深度交流对话。
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